这款测试芯片是业界首款采用12纳米FinFet(FF)技术为音频IP提供完整解决方案的产品。该芯片完美结合了高性能、低功耗和优化的占板面积,为电池供电应用提供卓越的音质与功能。这款专用测试芯片通过加快产品上市进程、提供同类最佳性能、及确保稳健的产品设计,坚定客户对Dolphin Design产品的信心,再度证实了Dolphin Design在混合信号IP领域的行业领先地位。2024年2月22日,法国格勒诺布尔——高性能模拟、混合信号、处理知识产权(IP)以及ASIC设计的行业领先供应商Dolphin De
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Dolphin Design 12纳米 12nm FinFet 成功流片
最新报道,三星的3nm GAA生产工艺存在问题,原计划搭载于Galaxy S25/S25+手机的Exynos 2500芯片在生产过程中被发现存在严重缺陷,导致良品率直接跌至0%。报道详细指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工艺下的生产质量问题,未能通过三星内部的质量检测。这不仅影响了Galaxy S25系列手机的生产计划,还导致原定于后续推出的Galaxy Watch 7的芯片组也无法如期进入量产阶段。值得关注的是,Exynos 2500原计划沿用上一代的10核CPU架构,升级之处在于将采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
3D 芯片堆叠对于补充晶体管的发展路线图至关重要。
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FinFET
2 月 2 日消息,根据韩媒 DealSite+ 报道,三星的 3nm GAA 生产工艺存在问题,尝试生产适用于 Galaxy S25 / S25+ 手机的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。报道指出由于 3nm 工艺的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通过质量测试,导致后续 Galaxy Watch 7 的芯片组也无法量产。此前报道,Exynos 2500 将沿用上一代的 10 核 CPU 架构,同时引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
据外媒,除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外,特斯拉也已确认参与台积电(TSMC)明年的3nm NTO芯片设计定案(New Tape-Outs,NTOs)。报道称,特斯拉成为台积电N3P的客户也表明,其打算利用该尖端技术生产下一代全自动驾驶(FSD)智能驾驶芯片。据了解,台积电N3P工艺计划预计在2024年投产,与N3E工艺相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。台积电表示,N3P的性能、功耗和面积(PPA)指标,以及技术成熟度,都超过了英特尔的18A工艺。
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特斯拉 台积电 3nm 自动驾驶
11月6日,联发科发布的新一代的旗舰平台天玑9300处理器大胆创新,取消了低功耗核心簇,转而采用“全大核”架构,包含四颗Cortex-X4 超大核(最高频率可达3.25GHz)以及四颗主频为2.0GHz的Cortex-A720大核。虽然此前曾有传言称这款芯片存在过热问题,但联发科予以否认并声称其性能表现出色。近期有爆料称联发科并没有因天玑9300的争议而改变策略,反而将在明年的天玑9400上继续采用“全大核”架构。日前有消息源还透露了明年的旗舰芯片天玑9400将首次用上台积电的N3E制程工艺 ——&nbs
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天玑 架构 N3E 联发科 3nm 芯片
IT之家 11 月 22 日消息,台积电初代 3nm 工艺 N3B 目前仅有一个客户在用,那就是苹果。根据中国台湾《工商时报》的消息,目前 3nm 晶圆每片接近 2 万美元(IT之家备注:当前约 14.3 万元人民币) ,而良率为 55%,所以目前只有苹果一家愿意且有能力支付,而且苹果目前也预订了台积电今年大部分 3nm 产能。随着 3nm 代工产能拉升,台积电 3nm 产能今年底有望达到 6~7 万片,全年营收占比有望突破 5%,明年更有机会达到 1 成。据称,在英伟达、高通、联发科
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台积电 晶圆代工 3nm
10月31日消息,苹果举行新品发布会,线上发布M3系列芯片(M3、M3 Pro以及M3 Max),除了芯片更新苹果还带来了搭载M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。这是苹果首次将Pro与Max首次与基础款同时公布,苹果官方在发布会中也表示:这一系列的芯片采用了最新的3nm工艺制程,意味着比当前的M2系列将要「快得吓人」。M3系列芯片信息:M3配备8核CPU,10核GPU,24GB统一内存,速度最高比M2提升20%M3 Pro配备12核CPU,18核GPU,36GB统一内存,速度最高比
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苹果 M3 芯片 3nm 工艺 GPU
摘要:● 全新参考流程针对台积公司 N4PRF 工艺打造,提供开放、高效的射频设计解决方案。● 业界领先的电磁仿真工具将提升WiFi-7系统的性能和功耗效率。● 集成的设计流程提升了开发者的生产率,提高了仿真精度,并加快产品的上市时间。近日宣布,携手是德科技(Keysight)、Ansys共同推出面向台积公司业界领先N4PRF工艺(4纳米射频FinFET工艺)的全新参考流程。该参考流程基于新思科技的定制设计系列产品,为追求更高预测精度
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新思科技 是德科技 Ansys 台积公司 4 纳米 射频 FinFET 射频芯片设计
作为当前全球最先进的制程工艺,台积电和三星的3nm制程工艺均已在去年量产,其中三星电子是在6月30日开始量产,台积电则是在12月29日开始商业化生产。从外媒最新的报道来看,这两大厂商3nm制程工艺的良品率,目前均还在60%以下,在将良品率提升到60%以上都遇到了挑战。此前预计三星的良品率在今年将超过60%,台积电的良品率在8月份时就已在70%-80%,高于三星电子。虽然三星电子3nm制程工艺为一家客户代工的芯片,良品率达到了60%,但由于并不包括逻辑芯片的SRAM,不被认为是完整的3nm制程工艺产品。3n
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三星 台积电 3nm 制程 芯片
● 新参考流程采用台积电 N4PRF 制程,提供了开放、高效的射频设计解决方案● 强大的电磁仿真工具可提升 WiFi-7 系统的性能和功率效率● 综合流程可提高设计效率,实现更准确的仿真,从而更快将产品推向市场是德科技、新思科技和Ansys携手为台积电的先进4nm射频FinFET制程打造全新参考流程,助力RFIC半导体设计加速发展是德科技、新思科技公司和 Ansys 公司近日宣布携手推出面向台积电 N4PRF 制程的新参考流程。N4P
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是德科技 新思科技 Ansys 台积电 4nm射频 FinFET
目前三星和台积电(TSMC)都已在3nm制程节点上实现了量产,前者于2022年6月宣布量产全球首个3nm工艺,后者则在同年12月宣布启动3nm工艺的大规模生产,苹果最新发布的iPhone 15 Pro系列机型上搭载的A17 Pro应用了该工艺。据ChosunBiz报道,虽然三星和台积电都已量产了3nm工艺,不过两者都遇到了良品率方面的问题,都正在努力提高良品率及产量。三星在3nm工艺上采用下一代GAA(Gate-All-Around)晶体管技术,而台积电沿用了原有的FinFET晶体管技术,无论如何取舍和选
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三星 台积电 工艺 3nm
今日,苹果举办发布会,正式推出了包括iPhone 15系列和Apple Watch Series 9 / Ultra 2在内的多款产品,其售价从1999元到13999元不等。其中iPhone 15 Pro/15 Pro Max的最大亮点也是芯片,其搭载的A17 Pro 芯片,也是业界首款 3 nm芯片。集成了 190 亿颗晶体管,晶体管间仅有 12 个硅原子宽度的缝隙,内置六核 CPU的性能是 A16 Bionic 的两倍,而效率则高达四倍。作为对比,A15 有 150 亿个晶体管,A14有118 亿个晶
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3nm GPU
千呼万唤始出来,北京时间 9 月 13 日凌晨 1 点,苹果秋季新品发布会准时拉开帷幕,主题为「好奇心上头」。在今年的苹果「春晚」的短短一个小多小时中,苹果总共发布了 7 款新品,包括:4 款全新 iPhone 15 系列、3 款新 Apple Watch。本场发布会最大亮点:iPhone 15 Pro 系列搭载全球业界首款 3nm 手机芯片,包含 2 颗高性能核心和 4 颗高能效核心,集成了 190 亿颗晶体管。此前爆料曾多次提到,苹果将为 iPhone 15 Pro 系列会取消掉祖传的「静音按钮」,在
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iphone15 3nm
3nm finfet介绍
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